Hoshine Silicon Industry (Q1083): Unterschied zwischen den Versionen

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@@ Eigenschaft / hat Standort @@
+Hoshine Silicon Industry Shihezi Fab
@@ Eigenschaft / hat Standort: Hoshine Silicon Industry Shihezi Fab / Rang @@
+Normaler Rang
@@ Eigenschaft / hat Standort: Hoshine Silicon Industry Shihezi Fab / Fundstelle @@
+quelle: https://www.hoshinesilicon.com/en/xwzx/info_80.aspx?itemid=854&lcid=17
abgerufen: 6. Mai 2024Zeitstempel +2024-05-06T00:00:00Z
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Version vom 6. Mai 2024, 09:33 Uhr

Chinesisches Unternehmen

Sprache	Bezeichnung	Beschreibung	Auch bekannt als
Deutsch	Hoshine Silicon Industry	Chinesisches Unternehmen

Aussagen

Werkstoff Hersteller

0 Fundstellen

http://www.wikidata.org/entity/Q106301640

0 Fundstellen

Hoshine Silicon Industry Jiaxing Fab

Eine Fundstelle

https://www.hoshinesilicon.com/en/xwzx/info_80.aspx?itemid=854&lcid=17

6. Mai 2024

Hoshine Silicon Industry Luzhou Fab

Eine Fundstelle

https://www.hoshinesilicon.com/en/xwzx/info_80.aspx?itemid=854&lcid=17

6. Mai 2024

Hoshine Silicon Industry Shanshan Fab

Eine Fundstelle

https://www.hoshinesilicon.com/en/xwzx/info_80.aspx?itemid=854&lcid=17

6. Mai 2024

Hoshine Silicon Industry Shihezi Fab

Eine Fundstelle

https://www.hoshinesilicon.com/en/xwzx/info_80.aspx?itemid=854&lcid=17

6. Mai 2024

bietet Produktklasse an

Halbleiter Kristall

Eine Fundstelle

https://www.pv-magazine.com/2022/02/15/chinese-pv-industry-brief-hoshine-plans-200000-ton-poly-fab/

1. März 2024

Abgerufen von „https://welektronik.iis.fraunhofer.de/w/index.php?title=Item:Q1083&oldid=16105“

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