Hoshine Silicon Industry Shihezi Fab (Q1202): Unterschied zwischen den Versionen

Aus Welektronik
Zur Navigation springen Zur Suche springen
(‎Aussage erstellt: gelegen in (P17): https://www.wikidata.org/entity/Q848680)
(‎Aussage geändert: gelegen in (P17): http://www.wikidata.org/entity/Q848680)
 
Eigenschaft / gelegen inEigenschaft / gelegen in

Aktuelle Version vom 25. Juni 2024, 13:44 Uhr

Standort zur Materialherstellung von Hoshine Silicon Industry
Sprache Bezeichnung Beschreibung Auch bekannt als
Deutsch
Hoshine Silicon Industry Shihezi Fab
Standort zur Materialherstellung von Hoshine Silicon Industry

    Aussagen