GT Advanced Technologies Hudson Fab (Q799): Unterschied zwischen den Versionen

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(‎Aussage erstellt: gelegen in (P17): https://www.wikidata.org/entity/Q2417176)
(‎Aussage geändert: typ (P5): Chip Fabrik (Q297))
Eigenschaft / typ: Chip Fabrik / Fundstelle
quelle: https://www.globenewswire.com/news-release/2018/06/27/1530598/0/en/GT-Advanced-Technologies-Opens-New-Silicon-Carbide-Manufacturing-Facility.html
abgerufen: 26. Oktober 22
Zeitstempel+0022-10-26T00:00:00Z
Zeitzone+00:00
KalenderJulianisch
Genauigkeit1 Tag
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Version vom 26. Oktober 2022, 14:24 Uhr

Standort zur Halbleiterfertigung von GT Advanced Technologies
Sprache Bezeichnung Beschreibung Auch bekannt als
Deutsch
GT Advanced Technologies Hudson Fab
Standort zur Halbleiterfertigung von GT Advanced Technologies

    Aussagen

    typ
    Chip Fabrik
    0 Fundstellen
     
    Abgerufen von „https://welektronik.iis.fraunhofer.de/w/index.php?title=Item:Q799&oldid=6773“