GT Advanced Technologies (Q798): Unterschied zwischen den Versionen

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+quelle: https://rocketreach.co/gt-advanced-technologies-profile_b5c6ce35f42e0ccf
abgerufen: 9. Januar 2024Zeitstempel +2024-01-09T00:00:00Z
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Version vom 9. Januar 2024, 12:51 Uhr

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen

GTAT

Sprache	Bezeichnung	Beschreibung	Auch bekannt als
Deutsch	GT Advanced Technologies	US-amerikanisches Halbleiterunternehmen	GTAT

Aussagen

Integrated Device Manufacturer

Eine Fundstelle

https://compoundsemiconductor.net/buyers-guide/companies/175/GT-Advanced-Technologies

26. Oktober 22

http://www.wikidata.org/entity/Q30283262

0 Fundstellen

20.000.000 US Dollar

Eine Fundstelle

https://rocketreach.co/gt-advanced-technologies-profile_b5c6ce35f42e0ccf

9. Januar 2024

GT Advanced Technologies Hudson Fab

Eine Fundstelle

https://www.globenewswire.com/news-release/2018/06/27/1530598/0/en/GT-Advanced-Technologies-Opens-New-Silicon-Carbide-Manufacturing-Facility.html

26. Oktober 22

Abgerufen von „https://welektronik.iis.fraunhofer.de/w/index.php?title=Item:Q798&oldid=14237“

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