Changxin Memory Technologies (Q103): Unterschied zwischen den Versionen

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+Changxin Fab Hefei
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+quelle: https://www.eetasia.com/changxin-emerging-as-chinas-first-dram-maker/
abgerufen: 30. August 2022Zeitstempel +2022-08-30T00:00:00Z
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Version vom 30. August 2022, 10:40 Uhr

Chinesisches Halbleiterunternehmen

CXMT

Sprache	Bezeichnung	Beschreibung	Auch bekannt als
Deutsch	Changxin Memory Technologies	Chinesisches Halbleiterunternehmen	CXMT

Aussagen

Halbleiter Entwickler

0 Fundstellen

Halbleiter Fertiger

0 Fundstellen

Integrated Device Manufacturer

Eine Fundstelle

https://www.cxmt.com/en/about-us/over-view/

22. Juni 2022

offizielle webseite

https://www.cxmt.com/en/

0 Fundstellen

http://www.wikidata.org/entity/Q60787452

0 Fundstellen

Changxin Fab Hefei

Eine Fundstelle

https://www.eetasia.com/changxin-emerging-as-chinas-first-dram-maker/

30. August 2022

Abgerufen von „https://welektronik.iis.fraunhofer.de/w/index.php?title=Item:Q103&oldid=4442“

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