GT Advanced Technologies (Q798)

Aus Welektronik

Version vom 27. April 2023, 16:47 Uhr von Admin (Diskussion | Beiträge) (‎Aussage geändert: Property:P6: http://www.wikidata.org/entity/Q30283262)

(Unterschied) ← Nächstältere Version | Aktuelle Version (Unterschied) | Nächstjüngere Version → (Unterschied)

Zur Navigation springen Zur Suche springen

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen

GTAT

In weiteren Sprachen

Sprache	Bezeichnung	Beschreibung	Auch bekannt als
Deutsch	GT Advanced Technologies	US-amerikanisches Halbleiterunternehmen	GTAT
Englisch	GT Advanced Technologies	American semiconductor company	GTAT

Aussagen

Integrated Device Manufacturer

Eine Fundstelle

https://compoundsemiconductor.net/buyers-guide/companies/175/GT-Advanced-Technologies

26. Oktober 22

http://www.wikidata.org/entity/Q30283262

GT Advanced Technologies Hudson Fab

Eine Fundstelle

https://www.globenewswire.com/news-release/2018/06/27/1530598/0/en/GT-Advanced-Technologies-Opens-New-Silicon-Carbide-Manufacturing-Facility.html

26. Oktober 22

Abgerufen von „https://welektronik.iis.fraunhofer.de/w/index.php?title=Item:Q798&oldid=10492“

Cookies helfen uns bei der Bereitstellung von Welektronik. Durch die Nutzung von Welektronik erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Cookies speichern.