GT Advanced Technologies (Q798)

Aus Welektronik

Version vom 9. Januar 2024, 12:51 Uhr von Kim (Diskussion | Beiträge) (‎Aussage erstellt: Property:P27: 20.000.000 US Dollar)

(Unterschied) ← Nächstältere Version | Aktuelle Version (Unterschied) | Nächstjüngere Version → (Unterschied)

Zur Navigation springen Zur Suche springen

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen

GTAT

Sprache	Bezeichnung	Beschreibung	Auch bekannt als
Deutsch	GT Advanced Technologies	US-amerikanisches Halbleiterunternehmen	GTAT

Aussagen

Integrated Device Manufacturer

Eine Fundstelle

https://compoundsemiconductor.net/buyers-guide/companies/175/GT-Advanced-Technologies

26. Oktober 22

http://www.wikidata.org/entity/Q30283262

0 Fundstellen

20.000.000 US Dollar

Eine Fundstelle

https://rocketreach.co/gt-advanced-technologies-profile_b5c6ce35f42e0ccf

9. Januar 2024

GT Advanced Technologies Hudson Fab

Eine Fundstelle

https://www.globenewswire.com/news-release/2018/06/27/1530598/0/en/GT-Advanced-Technologies-Opens-New-Silicon-Carbide-Manufacturing-Facility.html

26. Oktober 22

Abgerufen von „https://welektronik.iis.fraunhofer.de/w/index.php?title=Item:Q798&oldid=14237“

Cookies helfen uns bei der Bereitstellung von Welektronik. Durch die Nutzung von Welektronik erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Cookies speichern.